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电子元器件高温高湿储存测试方法
点击次数:580 更新时间:2022-05-16

电(dian)子元器件高(gao)(gao)温高(gao)(gao)湿(shi)储存测试(shi)方(fang)法:

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目的:

测试高(gao)温(wen)高(gao)湿储存环境对元器件的结构, 整机电气的影(ying)响(xiang), 以考(kao)量结构设计及零件选(xuan)用的合理性.

测试(shi)条件:

储(chu)存高温(wen)高湿条(tiao)件(jian): 通常为温(wen)度70±2℃, 湿度90-95% 试(shi)验时间24Hrs(非操作条件).

测(ce)试方(fang)法(fa):

(1). 试验前记录(lu)待测品输入功率, 输出(chu)电压及HI-POT 状况;

(2). 将确认后的待测品置入恒(heng)温恒(heng)湿(shi)机内, 依规格设定其(qi)温度(du)和湿(shi)度(du),然后启动温控室;

(3). 试(shi)(shi)验(yan)24Hrs, 试(shi)(shi)验(yan)结(jie)束(shu)后(hou)在空气中放置至少(shao)4Hrs,再(zai)确认(ren)待测品外观, 结(jie)构及电气性能是否有异(yi)常.

注意事项:

(1). 产品试验期间(jian)与试验后,产品性能不能出(chu)现降级(ji)与退化现象.

(2). 试验后产品(pin)的(de)介电(dian)强(qiang)度(du)与绝缘电(dian)阻测试需符合(he)规格书要求.

低温操作(zuo)测试(shi)

目的(de):

测试(shi)低温环(huan)境对(dui)元器件(jian)操作(zuo)过(guo)程中的(de)结构(gou)及(ji)整机电气的(de)影响, 用以考量结(jie)构设(she)计及零件(jian)选(xuan)用的合理性.

测试方(fang)法:

(1). 将待测品(pin)置于温(wen)控室内, 依规格设定好输入输出测试条(tiao)件, 然后开机.

(2). 依(yi)规(gui)格设定好温控室(shi)的温度,然(ran)后启动温控室(shi).

(3). 定(ding)时记(ji)录(lu)待(dai)(dai)测品输入(ru)功率和输出电压,以(yi)及待(dai)(dai)测品是否有异(yi)常;

(4). 做(zuo)完测试后(hou)(hou)将待测品从(cong)温控室中移出(chu), 在常温环境下恢(hui)复(fu)至少4小时,然(ran)后(hou)(hou)确认其外观(guan)和电气性能有无异常.

注意事项:

(1). 产品试验(yan)期间与试验(yan)后,产品性能(neng)不能(neng)出现降级与退化现象.

(2). 试验后(hou)产品的介电强度与绝缘电阻测(ce)试需符合规(gui)格书(shu)要求.

低(di)温(wen)储(chu)存测试

目的:

测试低温储存环(huan)境(jing)对S.M.P.S. 的结构, 元件及整机电气的影响, 用(yong)以考量S.M.P.S. 结构设计及零件选用(yong)的合理(li)性.

测试条件:

储存(cun)低温(wen)条(tiao)件: 通(tong)常为温度-30℃, 试验时(shi)间24Hrs(非操(cao)作条件).

测试(shi)方法:

(1). 试验前(qian)记录待测品输(shu)(shu)入功率, 输(shu)(shu)出电压及HI-POT 状况.

(2). 将(jiang)确(que)认后的待测(ce)品置(zhi)入恒(heng)温恒(heng)湿机内(nei), 依(yi)规格设定(ding)其温度,然后启(qi)动温控(kong)室.

(3). 试验(yan)24Hrs, 试验(yan)结束后(hou)在空气(qi)中放置至少4Hrs, 再将待(dai)测(ce)(ce)品(pin)做HI-POT 测(ce)(ce)试, 记录测(ce)(ce)试结果, 之后(hou)确认(ren)待(dai)测(ce)(ce)品(pin)的(de)外观, 结构及电气(qi)性能是(shi)否有异常.

注意事(shi)项:

(1). 产品(pin)(pin)试验期(qi)间与试验后,产品(pin)(pin)性能不(bu)能出现降级与退化现象.

(2). 试验后产品的介电强度与绝缘电阻测试需符合(he)规格书要求.