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产品列表PRODUCTS LIST
半导体(ti)芯片冷热冲(chong)击试验(yan)方(fang)法高低温冲(chong)击试验(yan)箱：
目(mu)的：
芯片在生产过程(cheng)中，需要对其进行(xing)冷热冲击试验。一般情况下(xia)，民用芯片的正常工作温度范围(wei)是 0℃-70℃，其他芯片性能更高，正常工作温度范围是 -55℃-125℃。以上温度范(fan)围都是(shi)芯片工(gong)作下的温度范(fan)围，当芯片不工(gong)作时(shi)，可以承受超过 200℃ 的焊接温度。
试件(jian)：
将(jiang)试件芯片通电置于置物架上(shang);
根据要求设定试验温度:
首(shou)先对试(shi)件进行(xing)低温试(shi)验，再进行(xing)高(gao)温试(shi)验，循环次数依要求进行(xing):记录半(ban)导体(ti)芯片工作(zuo)状态下(xia)，在(zai)设定温度下(xia)的相关参数，对产品分析(xi)，工艺改进以及批(pi)次的定向(xiang)品质追(zhui)溯提供确实的数据依据。
试(shi)(shi)(shi)(shi)件从(cong)低温或是高(gao)(gao)温试(shi)(shi)(shi)(shi)验(yan)(yan)(yan)开始(shi)，不(bu)同标准(zhun)有不(bu)同的解析(xi)。若试(shi)(shi)(shi)(shi)验(yan)(yan)(yan)从(cong)低温段(duan)(duan)开始(shi)，试(shi)(shi)(shi)(shi)验(yan)(yan)(yan)结束(shu)在(zai)(zai)高(gao)(gao)温段(duan)(duan)，若试(shi)(shi)(shi)(shi)验(yan)(yan)(yan)从(cong)高(gao)(gao)温段(duan)(duan)开始(shi)，结束(shu)在(zai)(zai)低温段(duan)(duan)。为防止试(shi)(shi)(shi)(shi)件在(zai)(zai)试(shi)(shi)(shi)(shi)验(yan)(yan)(yan)结束(shu)后表面产品凝露，试(shi)(shi)(shi)(shi)验(yan)(yan)(yan)结束(shu)在(zai)(zai)低温段(duan)(duan)时(shi)需要增加烘干恢复(fu)的过程，这样就增加了试(shi)(shi)(shi)(shi)验(yan)(yan)(yan)周期，建议试(shi)(shi)(shi)(shi)验(yan)(yan)(yan)从(cong)低温段(duan)(duan)开始(shi)，结束(shu)在(zai)(zai)高(gao)(gao)温段(duan)(duan)。
温度(du)范(fan)围：-65℃～150℃
低温冲击：-40℃，-55℃，-65℃
高温冲击：65℃，85℃，125℃
温度冲击时间小(xiao)于3min，1min
温度保持时(shi)间30min，60min
测(ce)试(shi)时间不能少于1000个循(xun)环
热压器/无偏压 HAST测试 参考(kao)标准：JESD22-A118
温度(du)范围：100℃～143℃
湿度范(fan)围：70%RH～100%RH
压力范围(wei)：0.5kg～3.5kg
测(ce)试时(shi)间不能少于200小(xiao)时(shi)，具体(ti)根(gen)据用户实(shi)际要求，有些需要达到500小(xiao)时(shi)到1000小(xiao)时(shi)等(deng)不同(tong)时(shi)间(jian)
其他测(ce)试标准：GB/T 2423.1-2001 试(shi)验(yan)(yan)A：低温(wen)试(shi)验(yan)(yan)方(fang)法，试(shi)验(yan)(yan)B：高(gao)(gao)温(wen)试(shi)验(yan)(yan)方(fang)法，GJB 150.3-1986 高(gao)(gao)温(wen)试(shi)验(yan)(yan)， 低温(wen)试(shi)验(yan)(yan)， GB 11158《高(gao)(gao)温(wen)试(shi)验(yan)(yan)箱技(ji)术条件》， IEC60068-2-14 等测(ce)试(shi)标(biao)准。
