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产品列表PRODUCTS LIST
电子产(chan)品温(wen)湿度循环测(ce)试方法高(gao)低温(wen)试验箱：
试验目的
验证(zheng)产品及材(cai)料(liao)在高低(di)温及大(da)气湿度条性下(xia)。所承(cheng)受环境变化的(de)能力。
高低(di)温循(xun)环试验(yan)目的: 检验(yan)(yan)产品受到(dao)长时间(jian)冷热(re)温度交变作(zuo)用后热(re)应力对(dui)产品性(xing)能的(de)影响作(zuo)用。温热(re)试验(yan)(yan)目(mu)的(de):检验(yan)(yan)产品受到(dao)高温高湿(shi)环境时的(de)劣化特性(xing)，评(ping)价材料的(de)吸(xi)湿(shi)特性(xing)、结露特性(xing)，及产品在湿(shi)热(re)环境下的(de)贮(zhu)存和(he)使用性(xing)能。
湿热试验条(tiao)件
试验持续时间(一般最少10个(ge)周期，240h，但需(xu)(xu)要预处理(li)24h,试验(yan)至少需(xu)(xu)要264h)
试验以24h为一个(ge)循环(huan)周期(qi)，最少进行10个(ge)周期(qi)。一般10个(ge)周期(qi)足以展现湿(shi)(shi)热(re)环(huan)境对(dui)大(da)多数装(zhuang)备的潜在影(ying)响。为了使(shi)湿(shi)(shi)热(re)试验结果更真(zhen)实(shi)地反(fan)映装(zhuang)备耐(nai)湿(shi)(shi)热(re)环(huan)境的能力，可(ke)按有关文(wen)件的规定，延长试验持续时间。
温湿度测试基本范畴是25%RH～95%RH（在20℃～85℃中间）。伴(ban)随(sui)着社会的(de)发展趋势，测(ce)试规定也愈来愈高，全新(xin)的(de)流(liu)行温湿度(du)测(ce)试范畴大(da)多数早已提(ti)升到(dao)10%RH～98%RH（在温度(du)10℃～95℃中间）。
试样(yang)制备：
1、低温测试(shi)，要(yao)求(qiu)25±5℃，60±15%裸机，开机4h;
2、高温(wen)测试，要(yao)求温(wen)度+55℃，试验4h;
3、热冲击(ji)试验，裸机在(zai)关(guan)机的情况(kuang)下(xia)，+85℃环(huan)境(jing)条(tiao)件(jian)下(xia)45min，-40℃环(huan)境(jing)条(tiao)件(jian)下(xia)试验45min，两(liang)温度的转换时(shi)间不(bu)大于15秒，进(jin)(jin)行27个循环(huan)，测试后放置至少两(liang)个小时(shi)后进(jin)(jin)行开(kai)机检测;
4、温度循环(huan)测(ce)(ce)试，裸机(ji)(ji)关机(ji)(ji)，70℃测(ce)(ce)试1h，40℃测(ce)(ce)试1h，-40℃测(ce)(ce)试1h，每(mei)个(ge)(ge)循环(huan)为(wei)三个(ge)(ge)小时，共27个(ge)(ge)循环(huan)，测(ce)(ce)试后放置至少(shao)2个(ge)(ge)小时进行检测(ce)(ce);
5、高温高湿存贮(zhu)试验，在裸机开机状态下，试验温度(du)调为55℃，湿度93%RH，试验时间设置为(wei)72h，测(ce)(ce)(ce)试后放(fang)置2h进(jin)(jin)行(xing)功(gong)能、电性能、外观检(jian)测(ce)(ce)(ce)，再用普通透(tou)明(ming)胶带(dai)粘附键盘(pan)(pan)，每次持续时间1分钟，1分钟后在1秒(miao)内将键盘(pan)(pan)剥离胶带(dai)，共进(jin)(jin)行(xing)3次，检(jian)测(ce)(ce)(ce)键盘(pan)(pan)是否有漆层脱落、键盘(pan)(pan)脱落故障。
试验步骤(zhou)：
1、在样品断电的状态下，先(xian)将温度下降到-50℃，保(bao)持4个(ge)小时;请勿在样品(pin)通电(dian)(dian)的状态下进行(xing)低(di)温测试，非常重要，因为(wei)通电(dian)(dian)状态下，芯片(pian)本身(shen)就(jiu)会(hui)产生+20℃以(yi)上温(wen)度，所以(yi)，在(zai)通电(dian)状态(tai)下(xia)，通常比较容(rong)易通过(guo)低温(wen)测试，必(bi)须先将其“冻透"，再次通电进行测(ce)试。
2、开(kai)机(ji)，对(dui)样品进(jin)行(xing)性(xing)(xing)能测试，对(dui)比(bi)性(xing)(xing)能与常温相(xiang)比(bi)是否正常。
3、进行老(lao)化测试，观察是否有数据(ju)对比错误。
4、升温到+90℃，保持(chi)4个(ge)小时，与(yu)低温(wen)测(ce)试相反(fan)，升温(wen)过程(cheng)不断(duan)电，保持(chi)芯片内部的温(wen)度一直处于高温(wen)状态，4个(ge)小时后(hou)，执行2、3、4测(ce)试步(bu)骤。
5、高温和低温测试(shi)分别重(zhong)复10次。
6、如果(guo)测试过程出现任何一次不能正常工作的状态(tai)，则视为测试失败。
