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产品列表PRODUCTS LIST
电子(zi)电器高(gao)低温循(xun)环测(ce)试方法高(gao)低温循(xun)环一体机：
目的(de)：
主要是(shi)针(zhen)对于电(dian)工、电(dian)子产品，以及(ji)其原器件(jian)，及(ji)其它材料(liao)在高(gao)温(wen)、低温(wen)的环(huan)境(jing)下贮存、运输(shu)、使用时的适应性试(shi)验。高(gao)低温(wen)循环(huan)测试(shi)是(shi)指设定温(wen)度从-50°C保持4个(ge)小时(shi)后，升温到 +90°C ，然后，在+90°保持4个小(xiao)时，降温到-50°C，依次(ci)做N个循(xun)环。工业级温度(du)标准为(wei)-40°C ~ +85°C，因(yin)(yin)为(wei)温箱通常会存在温差(cha)，为(wei)保证(zheng)到客(ke)户(hu)端不会因(yin)(yin)为(wei)温度偏差(cha)导致测试结果不一致，内部测试建议使用标准温度±5°C温差来(lai)测试。
测(ce)试流程：
1、在样品断电(dian)的状态下(xia)，先将温度下(xia)降(jiang)到-50°C，保持4个小(xiao)时;请勿(wu)在样(yang)品通电的状态下(xia)进行低温测试，非常重要，因为通电状态下(xia)，芯片(pian)本身就会产生+20°C以(yi)上温度，所以(yi)，在(zai)通(tong)电状态下(xia)，通(tong)常比较容易通(tong)过低(di)温测试(shi)，必须先将其“冻透"，再次(ci)通(tong)电进行(xing)测试。
2、开机，对(dui)(dui)样品进行性(xing)能(neng)测(ce)试(shi)，对(dui)(dui)比性(xing)能(neng)与常温相比是否(fou)正常。
3、进(jin)行老化测试(shi)，观察是(shi)否有数据对比(bi)错(cuo)误(wu)。
4、升温到+90°C，保持4个小时，与(yu)低温测试相反，升温过程不断电，保持芯片内部(bu)的温度一直处于高温状态，4个(ge)小时后，执行以上测(ce)试(shi)步(bu)骤(zhou)。
5、高温和低温测试分别重复10次。
如(ru)果测试过程出(chu)现任何一次(ci)不(bu)能正常工作的(de)状态，则视为测试失败。
参考标(biao)准(zhun)：
GB/T2423.1-2008试验A：低(di)温试验方法
GB/T2423.2-2008试验B：高温试验(yan)方法
GB/T2423.22-2002试验N：温度变化试验方法(fa)
